0 0 0
  8. TK65S04K3L(T6L1,NQ

Транзистори з каналом N SMD TK65S04K3L(T6L1,NQ

 
TK65S04K3L(T6L1,NQ
 
TOSHIBA
Артикул: 077604
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 65А; 88Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
75.41 грн
5+
67.47 грн
20+
52.39 грн
54+
49.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
40В(1441244)
Струм стока
65А(1441313)
Опір в стані провідності
4,5мОм(1479259)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
88Вт(1741738)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
63нКл(1479469)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD TK65S04K3L(T6L1,NQ
TOSHIBA
Артикул: 077604
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 65А; 88Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
75.41 грн
5+
67.47 грн
20+
52.39 грн
54+
49.22 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
40В
Струм стока
65А
Опір в стані провідності
4,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
88Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
63нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g