Транзисторы многоканальные IRF7379TRPBF

 
IRF7379TRPBF
 
Артикул: 000370
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5,8/-4,3А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
4000+
27.84 грн
Мин. заказ: 4000
Кратность:  4000
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30/-30В(1596055)
Ток стока
5,8/-4,3А(1596065)
Сопротивление в открытом состоянии
45/90мОм(1596066)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 430 mg
 
Транзисторы многоканальные IRF7379TRPBF
Транзисторы многоканальные IRF7379TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000370
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5,8/-4,3А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
4000+
27.84 грн
Мин. заказ: 4000
Кратность:  4000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30/-30В
Ток стока
5,8/-4,3А
Сопротивление в открытом состоянии
45/90мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 430 mg