0 0 0
  7. SSM6N7002KFU,LF(T

Транзисторы многоканальные SSM6N7002KFU,LF(T

 
SSM6N7002KFU,LF(T
 
TOSHIBA
Артикул: 000334
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; 285мВт; SC88
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.51 грн
50+
4.05 грн
250+
3.58 грн
305+
3.19 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 4515 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,3А(1644067)
Сопротивление в открытом состоянии
1,75Ом(1744086)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
285мВт(1744090)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,39нC(1744087)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g
 
Транзисторы многоканальные SSM6N7002KFU,LF(T
TOSHIBA
Артикул: 000334
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; 285мВт; SC88
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.51 грн
50+
4.05 грн
250+
3.58 грн
305+
3.19 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 4515 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,3А
Сопротивление в открытом состоянии
1,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
285мВт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
0,39нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g