0 0 0
  1. Главная
  2. Продукция
  3. Полупроводники
  4. Транзисторы
  5. Транзисторы униполярные
  6. Транзисторы многоканальные
  7. SQJB70EP-T1_GE3

Транзисторы многоканальные SQJB70EP-T1_GE3

 
SQJB70EP-T1_GE3
 
VISHAY
Артикул: 000327
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 6,5А; 9Вт; PowerPAK® SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
124.70 грн
10+
78.77 грн
27+
44.55 грн
74+
42.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerPAK® SO8(1643340)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
6,5А(1479157)
Сопротивление в открытом состоянии
95мОм(1441490)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
9Вт(1507535)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4нC(1632973)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,6 g
 
Транзисторы многоканальные SQJB70EP-T1_GE3
Транзисторы многоканальные SQJB70EP-T1_GE3
VISHAY
Артикул: 000327
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 6,5А; 9Вт; PowerPAK® SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
124.70 грн
10+
78.77 грн
27+
44.55 грн
74+
42.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
PowerPAK® SO8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
6,5А
Сопротивление в открытом состоянии
95мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,6 g