Памяти DRAM - микросхемы AS4C4M16SA-6TINTR

 
AS4C4M16SA-6TINTR
 
Артикул: 065945
IC: память DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
242.39 грн
5+
234.62 грн
6+
176.35 грн
16+
167.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3737 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
ALLIANCE MEMORY(403)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...85°C(1819326)
Корпус
TSOP54 II(1444538)
Рабочее напряжение
3,3В(1437870)
Тип микросхемы
память DRAM(1775162)
Вид памяти
SDRAM(1500628)
Структура памяти
4Mx16бит(1500649)
Время доступа
6нс(1500661)
Тактовая частота
166МГц(1620342)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Kind of interface
параллельный(1774882)
Память
64Мб DRAM(1981099)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,94 g
 
Памяти DRAM - микросхемы AS4C4M16SA-6TINTR
ALLIANCE MEMORY
Артикул: 065945
IC: память DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
242.39 грн
5+
234.62 грн
6+
176.35 грн
16+
167.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3737 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ALLIANCE MEMORY
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...85°C
Корпус
TSOP54 II
Рабочее напряжение
3,3В
Тип микросхемы
память DRAM
Вид памяти
SDRAM
Структура памяти
4Mx16бит
Время доступа
6нс
Тактовая частота
166МГц
Вид упаковки
бобина
Kind of interface
параллельный
Память
64Мб DRAM
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,94 g