Полупроводники

Аналоговые и смешанные микросхемы Потенциометры цифровые Преобразователи температуры Операционные усилители Операционные усилители SMD Операционные усилители THT Компараторы Компараторы SMD Компараторы THT Преобразователи U/I, U/f, U/U Драйверы - микросхемы Драйверы двигательные и ШИМ Светодиодные драйверы Драйверы MOSFET/IGBT Фильтры - микросхемы Интерфейсы - микросхемы Микросхемы - интерфейс I2C Микросхемы - интерфейс USB Микросхемы - интерфейс CAN Микросхемы - интерф. RS232/422/485 Микросхемы - интерфейс ETHERNET Микросхемы - интерфейсы осталь. Выключатели - микросхемы Преобразователи A/D - микросхемы Преобразователи D/A - микросхемы Микросхемы логические Буферы, передатчики, контроллеры Компараторы Счетчики/делители Декодеры, мультиплексоры, переключатели Триггеры Ворота, инверторы Защелки Логические конверторы Мультивибраторы Сдвигающие регистры Прочие логические схемы Микросхемы программируемые Микросхемы программируемые ALTERA Микросхемы программируемые LATTICE Микросхемы программируемые XILINX Микросхемы программируемые другие Память FIFO Микроконтроллеры Микроконтроллеры Microchip Линейка 8051 8-bit Линейка AVR 8-bit Линейка PIC 8-bit Линейка PIC 16-bit Линейка dsPIC 16-bit Линейка AVR32 32-bit Линейка PIC32 32-bit Линейка ARM 32-bit Микроконтроллеры Infineon Technologies Микроконтроллеры NXP Микроконтроллеры NXP ARM Микроконтроллеры NXP 8051 Микроконтроллеры Texas Instruments Микроконтроллеры ST Микроконтроллеры другие Микропроцессоры Microchip Памяти - микросхемы Памяти SRAM - микросхемы Памяти SRAM последовательные Памяти SRAM параллельные Памяти DRAM - микросхемы Памяти EPROM - микросхемы Памяти EEPROM - микросхемы Памяти EEPROM последовательные Памяти EEPROM параллельные Памяти FLASH - микросхемы Памяти FLASH последовательные Памяти FLASH параллельные Памяти FRAM - микросхемы Памяти остальн. - микросхемы Микросхемы периферийные Микросхемы watchdog и reset Микросхемы авторизующие Микросхемы контрольные Микросхемы RTC Мультиплексоры и переключатели аналог. Регуляторы напряжения - микросхемы Линейные стабилизаторы - микросхемы Стабилизаторы напряжения нерегулируемые Стабилизаторы напряжения нерегулир. LDO Стабилизаторы напряжения регулируемые Стабилизаторы напряжения регулир. LDO Импульсные регуляторы - микросхемы Регуляторы напряжения - микросхемы DC/DC Регуляторы напряжения - микросхемы ШИМ Источники напряжения отнесения-микросх. Контроллеры батарей и аккумулят. - схемы Микросхемы RTV - аудио Микросхемы гибридные Микросхемы другие
 Больше разделов

Полупроводники — материалы, по удельной проводимости занимающие промежуточное место между проводниками и диэлектриками, и отличающиеся от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и воздействия различных видов излучения. Основным свойством полупроводников является увеличение электрической проводимости с ростом температуры. Полупроводниками являются кристаллические вещества, ширина запрещённой зоны которых составляет порядка электрон-вольта (эВ). Например, алмаз можно отнести к широкозонным полупроводникам (около 7 эВ), а арсенид индия — к узкозонным (0,35 эВ). К числу полупроводников относятся многие химические элементы (германий, кремний, селен, теллур, мышьяк и другие), огромное количество сплавов и химических соединений (арсенид галлия и др.). Атом другого химического элемента в чистой кристаллической решётке (например, атом фосфора, бора и т. д. в кристалле кремния) называется примесью. В зависимости от того, отдаёт ли примесной атом электрон в кристалл (в вышеприведённом примере – фосфор) или захватывает его (бор), примесные атомы называют донорными или акцепторными. Характер примеси может меняться в зависимости от того, какой атом кристаллической решётки она замещает, в какую кристаллографическую плоскость встраивается. Проводимость полупроводников сильно зависит от температуры. Вблизи температуры абсолютного нуля полупроводники имеют свойства диэлектриков. Электронные полупроводники (n-типа) Полупроводник n-типа Термин «n-тип» происходит от слова «negative», обозначающего отрицательный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников имеет примесную природу. В четырёхвалентный полупроводник (например, кремний) добавляют примесь пятивалентного полупроводника (например, мышьяка). В процессе взаимодействия каждый атом примеси вступает в ковалентную связь с атомами кремния. Однако для пятого электрона атома мышьяка нет места в насыщенных валентных связях, и он переходит на дальнюю электронную оболочку. Там для отрыва электрона от атома нужно меньшее количество энергии. Электрон отрывается и превращается в свободный. В данном случае перенос заряда осуществляется электроном, а не дыркой, то есть данный вид полупроводников проводит электрический ток подобно металлам. Примеси, которые добавляют в полупроводники, вследствие чего они превращаются в полупроводники n-типа, называются донорными. Дырочные полупроводники (р-типа) Полупроводник p-типа Термин «p-тип» происходит от слова «positive», обозначающего положительный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников, кроме примесной основы, характеризуется дырочной природой проводимости. В четырёхвалентный полупроводник (например, в кремний) добавляют небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия). Каждый атом примеси устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния. Для установки связи с четвёртым атомом кремния у атома индия нет валентного электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом, вследствие чего образуется дырка. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными.