Полупроводники

Аналоговые и смешанные микросхемы Потенциометры цифровые Преобразователи температуры Операционные усилители Операционные усилители SMD Операционные усилители THT Компараторы Компараторы SMD Компараторы THT Преобразователи U/I, U/f, U/U Драйверы - микросхемы Драйверы двигательные и ШИМ Светодиодные драйверы Драйверы MOSFET/IGBT Фильтры - микросхемы Интерфейсы - микросхемы Микросхемы - интерфейс I2C Микросхемы - интерфейс USB Микросхемы - интерфейс CAN Микросхемы - RS232 / RS422 / RS485 Микросхемы - интерфейс ETHERNET Микросхемы - интерфейсы осталь. Выключатели - микросхемы Микросхемы логические Буферы, передатчики, контроллеры Компараторы Счетчики/делители Декодеры, мультиплексоры, переключатели Триггеры Ворота, инверторы Защелки Логические конверторы Мультивибраторы Сдвигающие регистры Прочие логические схемы Микросхемы программируемые Память FIFO Микроконтроллеры и микропроцессоры Микроконтроллеры Microchip Линейка 8051 8-bit Линейка AVR 8-bit Линейка PIC 8-bit Линейка PIC 16-bit Линейка dsPIC 16-bit Линейка AVR32 32-bit Линейка PIC32 32-bit Линейка ARM 32-bit Микроконтроллеры Infineon Technologies Микроконтроллеры NXP Микроконтроллеры NXP ARM Микроконтроллеры Texas Instruments Микроконтроллеры ST Микроконтроллеры другие Микропроцессоры Microchip Памяти - микросхемы Памяти SRAM - микросхемы Памяти SRAM последовательные Памяти SRAM параллельные Памяти DRAM - микросхемы Памяти EPROM - микросхемы Памяти EEPROM - микросхемы Памяти EEPROM последовательные Памяти EEPROM параллельные Памяти FLASH - микросхемы Памяти FLASH последовательные Памяти FLASH параллельные Памяти FRAM - микросхемы Памяти остальн. - микросхемы Микросхемы периферийные Преобразователи A/D - микросхемы Преобразователи D/A - микросхемы Микросхемы watchdog и reset Микросхемы авторизующие Микросхемы контрольные Микросхемы RTC Мультиплексоры и переключатели аналог. Регуляторы напряжения - микросхемы Линейные стабилизаторы - микросхемы Стабилизаторы напряжения нерегулируемые Стабилизаторы напряжения нерегулир. LDO Стабилизаторы напряжения регулируемые Стабилизаторы напряжения регулир. LDO Импульсные регуляторы - микросхемы Регуляторы напряжения - микросхемы DC/DC Регуляторы напряжения - микросхемы ШИМ Источники напряжения отнесения-микросх. Контроллеры батарей и аккумулят. - схемы Микросхемы RTV - аудио Микросхемы гибридные Микросхемы другие Интегральные схемы - некласс.
 Все категории

Полупроводники — материалы, по удельной проводимости занимающие промежуточное место между проводниками и диэлектриками, и отличающиеся от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и воздействия различных видов излучения. Основным свойством полупроводников является увеличение электрической проводимости с ростом температуры. Полупроводниками являются кристаллические вещества, ширина запрещённой зоны которых составляет порядка электрон-вольта (эВ). Например, алмаз можно отнести к широкозонным полупроводникам (около 7 эВ), а арсенид индия — к узкозонным (0,35 эВ). К числу полупроводников относятся многие химические элементы (германий, кремний, селен, теллур, мышьяк и другие), огромное количество сплавов и химических соединений (арсенид галлия и др.). Атом другого химического элемента в чистой кристаллической решётке (например, атом фосфора, бора и т. д. в кристалле кремния) называется примесью. В зависимости от того, отдаёт ли примесной атом электрон в кристалл (в вышеприведённом примере – фосфор) или захватывает его (бор), примесные атомы называют донорными или акцепторными. Характер примеси может меняться в зависимости от того, какой атом кристаллической решётки она замещает, в какую кристаллографическую плоскость встраивается. Проводимость полупроводников сильно зависит от температуры. Вблизи температуры абсолютного нуля полупроводники имеют свойства диэлектриков. Электронные полупроводники (n-типа) Полупроводник n-типа Термин «n-тип» происходит от слова «negative», обозначающего отрицательный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников имеет примесную природу. В четырёхвалентный полупроводник (например, кремний) добавляют примесь пятивалентного полупроводника (например, мышьяка). В процессе взаимодействия каждый атом примеси вступает в ковалентную связь с атомами кремния. Однако для пятого электрона атома мышьяка нет места в насыщенных валентных связях, и он переходит на дальнюю электронную оболочку. Там для отрыва электрона от атома нужно меньшее количество энергии. Электрон отрывается и превращается в свободный. В данном случае перенос заряда осуществляется электроном, а не дыркой, то есть данный вид полупроводников проводит электрический ток подобно металлам. Примеси, которые добавляют в полупроводники, вследствие чего они превращаются в полупроводники n-типа, называются донорными. Дырочные полупроводники (р-типа) Полупроводник p-типа Термин «p-тип» происходит от слова «positive», обозначающего положительный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников, кроме примесной основы, характеризуется дырочной природой проводимости. В четырёхвалентный полупроводник (например, в кремний) добавляют небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия). Каждый атом примеси устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния. Для установки связи с четвёртым атомом кремния у атома индия нет валентного электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом, вследствие чего образуется дырка. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными.