0 0 0
  8. AON6366E

Транзисторы с каналом N SMD AON6366E

 
AON6366E
 
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Артикул: 075308
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 34А; 18Вт; DFN5x6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.30 грн
3+
41.19 грн
10+
36.17 грн
32+
31.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2520 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR(612)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN5x6(1775115)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
34А(1441554)
Сопротивление в открытом состоянии
3,7мОм(1479557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
18Вт(1449533)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
57нC(1479286)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,116 g
 
Транзисторы с каналом N SMD AON6366E
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Артикул: 075308
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 34А; 18Вт; DFN5x6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
73.30 грн
3+
41.19 грн
10+
36.17 грн
32+
31.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2520 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN5x6
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
34А
Сопротивление в открытом состоянии
3,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
18Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
57нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,116 g