0 0 0
  7. AON6810

Транзисторы многоканальные AON6810

 
AON6810
 
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Артикул: 000091
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 16А; 12,5Вт; DFN5x6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.49 грн
3+
52.05 грн
10+
45.99 грн
25+
39.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR(612)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN5x6(1775115)
Конструкция диода
общий сток(1609794)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
4,4мОм(1479260)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
12,5Вт(1702060)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) integrated temp sense diode(1775288)
Заряд затвора
11нC(1479181)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы многоканальные AON6810
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Артикул: 000091
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 16А; 12,5Вт; DFN5x6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.49 грн
3+
52.05 грн
10+
45.99 грн
25+
39.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN5x6
Конструкция диода
общий сток
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
4,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
12,5Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated temp sense diode
Заряд затвора
11нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g