Транзисторы IGBT THT AOTF10B65M2

 
AOTF10B65M2
 
Артикул: 220664
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвыкл: 0,13мДж
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
91.28 грн
5+
81.92 грн
16+
63.19 грн
44+
59.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR(612)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220F(1440211)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6В(1609749)
Ток коллектора
10А(1440949)
Ток коллектора в импульсе
30А(1441708)
Время включения
28нс(1757663)
Время выключения
131нс(1775348)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
12Вт(1507420)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
24нC(1479143)
Энергия подключения
0,18мДж(1764616)
Энергия отключения
0,13мДж(1764617)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы IGBT THT AOTF10B65M2
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Артикул: 220664
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 12Вт; TO220F; Eвыкл: 0,13мДж
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
91.28 грн
5+
81.92 грн
16+
63.19 грн
44+
59.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO220F
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,6В
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
30А
Время включения
28нс
Время выключения
131нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
12Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
24нC
Энергия подключения
0,18мДж
Энергия отключения
0,13мДж
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g