0 0 0
  8. B2M032120Y

Транзисторы с каналом N THT B2M032120Y

 
B2M032120Y
 
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 1152270
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 190А; 375Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 325.53 грн
2+
915.66 грн
3+
865.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR(1805)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247PLUS-4(1739902)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
40нC(1479263)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-4...18В(1981581)
Ток стока в импульсном режиме
190А(1790422)
Дополнительная информация: Масса брутто: 7,01 g
 
Транзисторы с каналом N THT B2M032120Y
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 1152270
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 190А; 375Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 325.53 грн
2+
915.66 грн
3+
865.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247PLUS-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
375Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
40нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-4...18В
Ток стока в импульсном режиме
190А
Дополнительная информация: Масса брутто: 7,01 g