0 0 0
  8. B2M065120Z

Транзисторы с каналом N THT B2M065120Z

 
B2M065120Z
 
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 791910
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
810.30 грн
2+
594.97 грн
5+
562.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR(1805)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
33А(1479307)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
60нC(1479310)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-4...18В(1981581)
Ток стока в импульсном режиме
85А(1823191)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,647 g
 
Транзисторы с каналом N THT B2M065120Z
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 791910
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
810.30 грн
2+
594.97 грн
5+
562.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
33А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
60нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-4...18В
Ток стока в импульсном режиме
85А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,647 g