0 0 0
  8. BGH50N65ZF1

Транзисторы IGBT THT BGH50N65ZF1

 
BGH50N65ZF1
 
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 627500
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
858.88 грн
2+
635.62 грн
5+
600.66 грн
150+
576.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 26 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR(1805)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Время включения
54нс(1717727)
Время выключения
476нс(1957876)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
357Вт(1740831)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
308нC(1705680)
Технология
Trench(1712977) Field Stop(1814742) SiC SBD(1929901)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,72 g
 
Транзисторы IGBT THT BGH50N65ZF1
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 627500
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
858.88 грн
2+
635.62 грн
5+
600.66 грн
150+
576.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 26 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
200А
Время включения
54нс
Время выключения
476нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
357Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
308нC
Технология
Trench
Технология
Field Stop
Технология
SiC SBD
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,72 g