0 0 0
  8. BGH75N120HF1

Транзисторы IGBT THT BGH75N120HF1

 
BGH75N120HF1
 
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 784729
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 75А; 568Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
867.62 грн
2+
638.00 грн
3+
637.21 грн
5+
602.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR(1805)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
75А(1441616)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Время включения
140нс(1441671)
Время выключения
443нс(1957877)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
568Вт(1742042)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
398нC(1957875)
Технология
Trench(1712977) Field Stop(1814742) SiC SBD(1929901)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,217 g
 
Транзисторы IGBT THT BGH75N120HF1
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 784729
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 75А; 568Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
867.62 грн
2+
638.00 грн
3+
637.21 грн
5+
602.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
BASiC SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
75А
Ток коллектора в импульсе
200А
Время включения
140нс
Время выключения
443нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
568Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
398нC
Технология
Trench
Технология
Field Stop
Технология
SiC SBD
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,217 g