0 0 0
  8. BXS1150N10M

Транзисторы с каналом N SMD BXS1150N10M

 
BXS1150N10M
 
BRIDGELUX
Артикул: 562591
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,6А; Idm: 15,6А; 2,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
35.09 грн
10+
17.39 грн
25+
12.22 грн
100+
8.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3797 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
BRIDGELUX(1457)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
2,6А(1479113)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
16,3нC(1829673)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
15,6А(1888022)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BXS1150N10M
BRIDGELUX
Артикул: 562591
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 2,6А; Idm: 15,6А; 2,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
35.09 грн
10+
17.39 грн
25+
12.22 грн
100+
8.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3797 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
BRIDGELUX
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
2,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
16,3нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
15,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g