0 0 0
  8. CDN1308EDL

Транзисторы с каналом N SMD CDN1308EDL

 
CDN1308EDL
 
CDIL
Артикул: 600687
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
4.53 грн
100+
4.05 грн
325+
3.07 грн
900+
2.90 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Колличество: 6650 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
CDIL(1312)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
1,1А(1492262)
Сопротивление в открытом состоянии
0,185Ом(1492504)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,4нC(1632948)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6А(1790199)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g
 
Транзисторы с каналом N SMD CDN1308EDL
CDIL
Артикул: 600687
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,1А; Idm: 6А; 0,3Вт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
4.53 грн
100+
4.05 грн
325+
3.07 грн
900+
2.90 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Колличество: 6650 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
CDIL
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
1,1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,185Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
1,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g