0 0 0
  7. DACMI120N1200

Транзисторные модули MOSFET DACMI120N1200

 
DACMI120N1200
 
DACO Semiconductor
Артикул: 268569
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 76А; SOT227B; винтами; 500Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
8 308.44 грн
3+
8 124.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DACO Semiconductor(1279)
Рабочая температура
-55...150°C(1819759)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
76А(1479432)
Сопротивление в открытом состоянии
25мОм(1441552)
Рассеиваемая мощность
500Вт(1701905)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
SiC(1591568)
Напряжение затвор-исток
-10...20В(1981142)
Ток стока в импульсном режиме
300А(1714520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 40 g
 
Транзисторные модули MOSFET DACMI120N1200
DACO Semiconductor
Артикул: 268569
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 76А; SOT227B; винтами; 500Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
8 308.44 грн
3+
8 124.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DACO Semiconductor
Рабочая температура
-55...150°C
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
76А
Сопротивление в открытом состоянии
25мОм
Рассеиваемая мощность
500Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
SiC
Напряжение затвор-исток
-10...20В
Ток стока в импульсном режиме
300А
Дополнительная информация: Масса брутто: 40 g