Транзисторные модули MOSFET DACMI40N1200

 
DACMI40N1200
 
Артикул: 268572
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; винтами; SiC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 642.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
DACO Semiconductor(1279)
Рабочая температура
-55...150°C(1819759)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
25А(1441383)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
SiC(1591568)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET DACMI40N1200
DACO Semiconductor
Артикул: 268572
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 25А; SOT227B; винтами; SiC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 642.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DACO Semiconductor
Рабочая температура
-55...150°C
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
25А
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
SiC
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g