0 0 0
  7. DAGNH2001200

Модули IGBT DAGNH2001200

 
DAGNH2001200
 
DACO Semiconductor
Артикул: 268762
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
5 764.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DACO Semiconductor(1279)
Корпус
HW9434(1789841)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
200А(1441734)
Ток коллектора в импульсе
400А(1441739)
Рассеиваемая мощность
1,3кВт(1741868)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топология
полумост IGBT(1612529)
Дополнительная информация: Масса брутто: 200 g
 
Модули IGBT DAGNH2001200
DACO Semiconductor
Артикул: 268762
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
5 764.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DACO Semiconductor
Корпус
HW9434
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
200А
Ток коллектора в импульсе
400А
Рассеиваемая мощность
1,3кВт
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Топология
полумост IGBT
Дополнительная информация: Масса брутто: 200 g