0 0 0
  7. DAMI160N100

Транзисторные модули MOSFET DAMI160N100

 
DAMI160N100
 
DACO Semiconductor
Артикул: 268594
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 120А; SOT227B; винтами; 380Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 821.84 грн
2+
1 722.87 грн
10+
1 669.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 11 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DACO Semiconductor(1279)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
4мОм(1479261)
Рассеиваемая мощность
380Вт(1741769)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Напряжение затвор-исток
-20...20В(1981145)
Ток стока в импульсном режиме
640А(1714531)
Дополнительная информация: Масса брутто: 36 g
 
Транзисторные модули MOSFET DAMI160N100
DACO Semiconductor
Артикул: 268594
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 120А; SOT227B; винтами; 380Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 821.84 грн
2+
1 722.87 грн
10+
1 669.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 11 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DACO Semiconductor
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
4мОм
Рассеиваемая мощность
380Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Напряжение затвор-исток
-20...20В
Ток стока в импульсном режиме
640А
Дополнительная информация: Масса брутто: 36 g