0 0 0
  7. DAMI160N200

Транзисторные модули MOSFET DAMI160N200

 
DAMI160N200
 
DACO Semiconductor
Артикул: 268595
Модуль; одиночный транзистор; 200В; 130А; SOT227B; винтами; 440Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 165.19 грн
2+
2 046.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 8 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DACO Semiconductor(1279)
Рабочая температура
-55...150°C(1819759)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
130А(1441558)
Сопротивление в открытом состоянии
10,3мОм(1711589)
Рассеиваемая мощность
440Вт(1741846)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Напряжение затвор-исток
-20...20В(1981145)
Ток стока в импульсном режиме
560А(1714532)
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,7 g
 
Транзисторные модули MOSFET DAMI160N200
DACO Semiconductor
Артикул: 268595
Модуль; одиночный транзистор; 200В; 130А; SOT227B; винтами; 440Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 165.19 грн
2+
2 046.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 8 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DACO Semiconductor
Рабочая температура
-55...150°C
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
130А
Сопротивление в открытом состоянии
10,3мОм
Рассеиваемая мощность
440Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Напряжение затвор-исток
-20...20В
Ток стока в импульсном режиме
560А
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,7 g