0 0 0
  8. 2N7002A-7

Транзисторы с каналом N SMD 2N7002A-7

 
2N7002A-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 466059
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.49 грн
50+
3.86 грн
250+
3.48 грн
380+
2.66 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 2350 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,14А(1644071)
Сопротивление в открытом состоянии
5Ом(1441408)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,37Вт(1742045)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g
 
Транзисторы с каналом N SMD 2N7002A-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 466059
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.49 грн
50+
3.86 грн
250+
3.48 грн
380+
2.66 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 2350 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,14А
Сопротивление в открытом состоянии
5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,37Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g