0 0 0
  8. BSS123Q-13

Транзисторы с каналом N SMD BSS123Q-13

 
BSS123Q-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 452916
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 170мА; Idm: 680мА; 0,3Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
7.37 грн
50+
4.24 грн
250+
3.81 грн
340+
2.91 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
0,17А(1644068)
Сопротивление в открытом состоянии
6Ом(1441534)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,68А(1838621)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,008 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BSS123Q-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 452916
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 170мА; Idm: 680мА; 0,3Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
7.37 грн
50+
4.24 грн
250+
3.81 грн
340+
2.91 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
0,17А
Сопротивление в открытом состоянии
6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,68А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,008 g