0 0 0
  7. DMC2004DWK-7

Транзисторы многоканальные DMC2004DWK-7

 
DMC2004DWK-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000154
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
24.02 грн
10+
15.42 грн
77+
12.55 грн
210+
11.86 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2021 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
20/-20В(1596061)
Ток стока
0,43/-0,54А(1643468)
Сопротивление в открытом состоянии
0,55/0,9Ом(1644029)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,25Вт(1701903)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g
 
Транзисторы многоканальные DMC2004DWK-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000154
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
24.02 грн
10+
15.42 грн
77+
12.55 грн
210+
11.86 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2021 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
20/-20В
Ток стока
0,43/-0,54А
Сопротивление в открытом состоянии
0,55/0,9Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,012 g