0 0 0
  7. DMC2020USD-13

Транзисторы многоканальные DMC2020USD-13

 
DMC2020USD-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000157
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
30.76 грн
10+
27.12 грн
41+
23.40 грн
113+
22.16 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1619 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
20/-20В(1596061)
Ток стока
6,3/-7,8А(1643491)
Сопротивление в открытом состоянии
0,02/0,033Ом(1644030)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
1,8Вт(1449543)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,133 g
 
Транзисторы многоканальные DMC2020USD-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000157
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
30.76 грн
10+
27.12 грн
41+
23.40 грн
113+
22.16 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1619 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
20/-20В
Ток стока
6,3/-7,8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,02/0,033Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,133 g