0 0 0
  8. DMG1012UWQ-7

Транзисторы с каналом N SMD DMG1012UWQ-7

 
DMG1012UWQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660382
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 750мА; Idm: 6А; 610мВт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.12 грн
50+
5.50 грн
240+
4.23 грн
660+
4.00 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 2690 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,75А(1632949)
Сопротивление в открытом состоянии
0,75Ом(1492227)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,61Вт(1810757)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1нC(1609788)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6А(1790199)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,011 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMG1012UWQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660382
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 750мА; Idm: 6А; 610мВт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.12 грн
50+
5.50 грн
240+
4.23 грн
660+
4.00 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 2690 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,75А
Сопротивление в открытом состоянии
0,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,61Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,011 g