0 0 0
  8. DMG1013TQ-7

Транзисторы с каналом P SMD DMG1013TQ-7

 
DMG1013TQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622692
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -330мА; Idm: -6А; 270мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.89 грн
50+
4.67 грн
250+
4.12 грн
260+
3.86 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT523(1611438)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-0,33А(1702131)
Сопротивление в открытом состоянии
1,3Ом(1492416)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,27Вт(1741779)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
580пC(1942379)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-6А(1810531)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMG1013TQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622692
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -330мА; Idm: -6А; 270мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.89 грн
50+
4.67 грн
250+
4.12 грн
260+
3.86 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT523
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-0,33А
Сопротивление в открытом состоянии
1,3Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,27Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
580пC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g