0 0 0
  8. DMG1013UW-7

Транзисторы с каналом P SMD DMG1013UW-7

 
DMG1013UW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140575
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,54А; 0,31Вт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.42 грн
25+
4.37 грн
100+
3.45 грн
305+
3.22 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 33380 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-0,54А(1644076)
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом(1441464)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,31Вт(1742047)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMG1013UW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140575
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,54А; 0,31Вт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.42 грн
25+
4.37 грн
100+
3.45 грн
305+
3.22 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 33380 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-0,54А
Сопротивление в открытом состоянии
1,5Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,31Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g