0 0 0
  7. DMG1016V-7

Транзисторы многоканальные DMG1016V-7

 
DMG1016V-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401739
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,63/-0,46А; 0,53Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.14 грн
25+
8.27 грн
100+
7.34 грн
150+
6.72 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2674 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напряжение сток-исток
20/-20В(1596061)
Ток стока
0,63/-0,46А(1810765)
Сопротивление в открытом состоянии
0,4/0,7Ом(1644034)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,53Вт(1742035)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g
 
Транзисторы многоканальные DMG1016V-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401739
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,63/-0,46А; 0,53Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.14 грн
25+
8.27 грн
100+
7.34 грн
150+
6.72 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2674 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напряжение сток-исток
20/-20В
Ток стока
0,63/-0,46А
Сопротивление в открытом состоянии
0,4/0,7Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,53Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g