0 0 0
  7. DMG1026UV-7

Транзисторы многоканальные DMG1026UV-7

 
DMG1026UV-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401829
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1А; 0,58Вт; SOT563
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.99 грн
25+
9.93 грн
100+
8.82 грн
130+
7.61 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3723 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,3А(1644067)
Сопротивление в открытом состоянии
1,8Ом(1441406)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,58Вт(1790350)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1А(1709878)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,011 g
 
Транзисторы многоканальные DMG1026UV-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401829
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1А; 0,58Вт; SOT563
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.99 грн
25+
9.93 грн
100+
8.82 грн
130+
7.61 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3723 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,3А
Сопротивление в открытом состоянии
1,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,58Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,011 g