0 0 0
  7. DMG1029SVQ-7

Транзисторы многоканальные DMG1029SVQ-7

 
DMG1029SVQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000185
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.09 грн
25+
10.51 грн
100+
9.35 грн
118+
8.42 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напряжение сток-исток
60/-60В(1596127)
Ток стока
0,4/-0,28А(1643467)
Сопротивление в открытом состоянии
1,7/4Ом(1644051)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,66Вт(1742039)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g
 
Транзисторы многоканальные DMG1029SVQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000185
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.09 грн
25+
10.51 грн
100+
9.35 грн
118+
8.42 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напряжение сток-исток
60/-60В
Ток стока
0,4/-0,28А
Сопротивление в открытом состоянии
1,7/4Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,66Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,014 g