0 0 0
  8. DMG2307LQ-7

Транзисторы с каналом P SMD DMG2307LQ-7

 
DMG2307LQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622538
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,6А; Idm: -20А; 1,9Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.58 грн
25+
8.17 грн
100+
7.22 грн
145+
6.78 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-3,6А(1479071)
Сопротивление в открытом состоянии
0,134Ом(1644078)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
1,9Вт(1449536)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,2нC(1610008)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMG2307LQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622538
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,6А; Idm: -20А; 1,9Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.58 грн
25+
8.17 грн
100+
7.22 грн
145+
6.78 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-3,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,134Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
1,9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g