0 0 0
  8. DMG3401LSNQ-7

Транзисторы с каналом P SMD DMG3401LSNQ-7

 
DMG3401LSNQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622709
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,9А; Idm: -30А; 1,2Вт; SC59
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.68 грн
10+
13.78 грн
30+
12.11 грн
86+
11.37 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC59(1596294)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-2,9А(1492295)
Сопротивление в открытом состоянии
85мОм(1441495)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
1,2Вт(1449368)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
25,1нC(1918366)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-30А(1811033)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMG3401LSNQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622709
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,9А; Idm: -30А; 1,2Вт; SC59
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.68 грн
10+
13.78 грн
30+
12.11 грн
86+
11.37 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SC59
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-2,9А
Сопротивление в открытом состоянии
85мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
1,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
25,1нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g