0 0 0
  8. DMG3407SSN-7

Транзисторы с каналом P SMD DMG3407SSN-7

 
DMG3407SSN-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622488
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,6А; Idm: -30А; 1,1Вт; SC59
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.79 грн
25+
7.97 грн
100+
7.09 грн
150+
6.62 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC59(1596294)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-3,6А(1479071)
Сопротивление в открытом состоянии
72мОм(1520449)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,1Вт(1449376)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
16нC(1479019)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-30А(1811033)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMG3407SSN-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622488
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,6А; Idm: -30А; 1,1Вт; SC59
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.79 грн
25+
7.97 грн
100+
7.09 грн
150+
6.62 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SC59
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-3,6А
Сопротивление в открытом состоянии
72мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
16нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g