0 0 0
  8. DMG3415UFY4Q-7

Транзисторы с каналом P SMD DMG3415UFY4Q-7

 
DMG3415UFY4Q-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622506
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -16В; -2,2А; Idm: -12А; 1,35Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.42 грн
10+
15.02 грн
30+
13.29 грн
80+
12.61 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X2-DFN2015-3(1942513)
Напряжение сток-исток
-16В(1501016)
Ток стока
-2,2А(1479082)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,35Вт(1702036)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-12А(1801470)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMG3415UFY4Q-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622506
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -16В; -2,2А; Idm: -12А; 1,35Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.42 грн
10+
15.02 грн
30+
13.29 грн
80+
12.61 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X2-DFN2015-3
Напряжение сток-исток
-16В
Ток стока
-2,2А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g