0 0 0
  8. DMG3415UQ-7

Транзисторы с каналом P SMD DMG3415UQ-7

 
DMG3415UQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140579
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.93 грн
25+
11.68 грн
100+
10.28 грн
110+
9.03 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2105 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-2А(1492324)
Сопротивление в открытом состоянии
71мОм(1702171)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,9Вт(1742026)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMG3415UQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140579
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.93 грн
25+
11.68 грн
100+
10.28 грн
110+
9.03 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2105 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-2А
Сопротивление в открытом состоянии
71мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g