0 0 0
  8. DMG4466SSS-13

Транзисторы с каналом N SMD DMG4466SSS-13

 
DMG4466SSS-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660003
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
12.21 грн
30+
10.70 грн
98+
10.13 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
6А(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм(1441270)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,42Вт(1791702)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
17нC(1479101)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMG4466SSS-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660003
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6А; Idm: 60А; 1,42Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
12.21 грн
30+
10.70 грн
98+
10.13 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
6А
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,42Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
17нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g