0 0 0
  7. DMG4511SK4-13

Транзисторы многоканальные DMG4511SK4-13

 
DMG4511SK4-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000186
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 35/-35В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
53.32 грн
37+
26.66 грн
102+
25.19 грн
1000+
24.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2463 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252-4(1492517)
Конструкция диода
общий сток(1609794)
Напряжение сток-исток
35/-35В(1643500)
Ток стока
7,8/-8,6А(1643501)
Сопротивление в открытом состоянии
0,035/0,045Ом(1644052)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
1,54Вт(1742040)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,396 g
 
Транзисторы многоканальные DMG4511SK4-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000186
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 35/-35В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
53.32 грн
37+
26.66 грн
102+
25.19 грн
1000+
24.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2463 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
TO252-4
Конструкция диода
общий сток
Напряжение сток-исток
35/-35В
Ток стока
7,8/-8,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,035/0,045Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,54Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,396 g