0 0 0
  8. DMG4800LFG-7

Транзисторы с каналом N SMD DMG4800LFG-7

 
DMG4800LFG-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660457
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,82А; Idm: 40А; 940мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
15.86 грн
30+
14.03 грн
75+
13.21 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
U-DFN3030-8(1739582)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
4,82А(1942212)
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм(1441281)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,94Вт(1742341)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
9,47нC(1942213)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMG4800LFG-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660457
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,82А; Idm: 40А; 940мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
15.86 грн
30+
14.03 грн
75+
13.21 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
U-DFN3030-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
4,82А
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,94Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
9,47нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g