0 0 0
  8. DMG6402LDM-7

Транзисторы с каналом N SMD DMG6402LDM-7

 
DMG6402LDM-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660288
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,2А; Idm: 31А; 1,12Вт; SOT26
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
13.00 грн
30+
11.81 грн
100+
10.39 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT26(1492497)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
4,2А(1479136)
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм(1441515)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,12Вт(1742036)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
9,2нC(1610002)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
31А(1789235)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMG6402LDM-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660288
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,2А; Idm: 31А; 1,12Вт; SOT26
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
13.00 грн
30+
11.81 грн
100+
10.39 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT26
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
4,2А
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,12Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
9,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
31А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g