0 0 0
  7. DMG6601LVT-7

Транзисторы многоканальные DMG6601LVT-7

 
DMG6601LVT-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000190
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.05 грн
5+
17.00 грн
10+
14.53 грн
50+
10.12 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 970 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOT26(1605071)
Напряжение сток-исток
30/-30В(1596055)
Ток стока
3/-2А(1596128)
Сопротивление в открытом состоянии
0,065/0,142Ом(1644053)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,54Вт(1741901)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g
 
Транзисторы многоканальные DMG6601LVT-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000190
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.05 грн
5+
17.00 грн
10+
14.53 грн
50+
10.12 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 970 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
TSOT26
Напряжение сток-исток
30/-30В
Ток стока
3/-2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,065/0,142Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,54Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,021 g