Транзисторы многоканальные DMG6602SVT-7

 
DMG6602SVT-7
 
Артикул: 000191
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
33.86 грн
10+
23.69 грн
50+
15.17 грн
100+
12.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2858 шт.
Срок поставки:  10-21днів
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOT26(1605071)
Напряжение сток-исток
30/-30В(1596055)
Ток стока
2,8/-3,4А(1643479)
Сопротивление в открытом состоянии
0,06/0,095Ом(1644054)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
1,112Вт(1742041)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
лента(1437179) 7 inch reel(2041635)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Транзисторы многоканальные DMG6602SVT-7
Транзисторы многоканальные DMG6602SVT-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000191
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
33.86 грн
10+
23.69 грн
50+
15.17 грн
100+
12.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2858 шт.
Срок поставки:  10-21днів
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
TSOT26
Напряжение сток-исток
30/-30В
Ток стока
2,8/-3,4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,06/0,095Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,112Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
лента
Вид упаковки
7 inch reel
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g