0 0 0
  8. DMG7430LFGQ-7

Транзисторы с каналом N SMD DMG7430LFGQ-7

 
DMG7430LFGQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660355
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; Idm: 90А; 3,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
45.30 грн
47+
21.70 грн
128+
20.52 грн
1000+
19.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerDI3333-8(1942490)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм(1479025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
3,5Вт(1449548)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
26,7нC(1936872)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
90А(1797079)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMG7430LFGQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660355
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 11А; Idm: 90А; 3,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
45.30 грн
47+
21.70 грн
128+
20.52 грн
1000+
19.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
PowerDI3333-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
3,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
26,7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
90А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g