0 0 0
  8. DMG8601UFG-7

Транзисторы с каналом N SMD DMG8601UFG-7

 
DMG8601UFG-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660153
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,2А; Idm: 27А; 920мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.03 грн
10+
18.16 грн
30+
16.02 грн
66+
15.10 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
U-DFN3030-8(1739582)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
5,2А(1441595)
Сопротивление в открытом состоянии
34мОм(1441517)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
920мВт(1512463)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,8нC(1636391)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
27А(1741675)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMG8601UFG-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660153
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,2А; Idm: 27А; 920мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.03 грн
10+
18.16 грн
30+
16.02 грн
66+
15.10 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
U-DFN3030-8
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
5,2А
Сопротивление в открытом состоянии
34мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
920мВт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
27А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g