0 0 0
  8. DMN1004UFDF-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN1004UFDF-7

 
DMN1004UFDF-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659798
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 12А; Idm: 70А; 2,1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.49 грн
10+
20.31 грн
30+
18.02 грн
59+
17.05 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
U-DFN2020-6(1628271)
Напряжение сток-исток
12В(1441274)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм(1441318)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,1Вт(1487305)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
47нC(1610022)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
70А(1759384)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN1004UFDF-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659798
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 12А; Idm: 70А; 2,1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.49 грн
10+
20.31 грн
30+
18.02 грн
59+
17.05 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
U-DFN2020-6
Напряжение сток-исток
12В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
47нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g