0 0 0
  8. DMN1019UFDE-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN1019UFDE-7

 
DMN1019UFDE-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075930
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 5А; 0,69Вт; U-DFN2020-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.09 грн
25+
14.38 грн
86+
11.44 грн
236+
10.82 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
U-DFN2020-6(1628271)
Напряжение сток-исток
12В(1441274)
Ток стока
5А(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
41мОм(1479050)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,69Вт(1742063)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN1019UFDE-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075930
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 5А; 0,69Вт; U-DFN2020-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.09 грн
25+
14.38 грн
86+
11.44 грн
236+
10.82 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
U-DFN2020-6
Напряжение сток-исток
12В
Ток стока
5А
Сопротивление в открытом состоянии
41мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,69Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g