0 0 0
  8. DMN10H099SFG-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN10H099SFG-7

 
DMN10H099SFG-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660483
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,5А; Idm: 20А; 1,18Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
32.58 грн
25+
29.24 грн
41+
24.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerDI3333-8(1942490)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
4,5А(1441265)
Сопротивление в открытом состоянии
99мОм(1599114)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,18Вт(1888278)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
25,2нC(1942221)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN10H099SFG-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660483
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,5А; Idm: 20А; 1,18Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.79 грн
5+
32.58 грн
25+
29.24 грн
41+
24.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
PowerDI3333-8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
99мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,18Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
25,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g