0 0 0
  8. DMN10H170SFG-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN10H170SFG-7

 
DMN10H170SFG-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660418
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3А; Idm: 16А; 1,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.56 грн
25+
20.21 грн
60+
16.91 грн
163+
15.99 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerDI3333-8(1942490)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
3А(1441397)
Сопротивление в открытом состоянии
0,133Ом(1780128)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,3Вт(1449369)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
14,9нC(1884188)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
16А(1741678)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN10H170SFG-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660418
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3А; Idm: 16А; 1,3Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.56 грн
25+
20.21 грн
60+
16.91 грн
163+
15.99 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
PowerDI3333-8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,133Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
14,9нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g