0 0 0
  8. DMN10H170SK3Q-13

Транзисторы с каналом N SMD DMN10H170SK3Q-13

 
DMN10H170SK3Q-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 546551
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 7,5А; Idm: 16А; 17Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.41 грн
5+
29.88 грн
25+
26.86 грн
47+
21.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
7,5А(1441286)
Сопротивление в открытом состоянии
99Ом(1905959)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
17Вт(1740767)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
9,7нC(1479398)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
16А(1741678)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN10H170SK3Q-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 546551
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 7,5А; Idm: 16А; 17Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.41 грн
5+
29.88 грн
25+
26.86 грн
47+
21.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
7,5А
Сопротивление в открытом состоянии
99Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
17Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
9,7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g