0 0 0
  8. DMN13H750S-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN13H750S-7

 
DMN13H750S-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660195
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 130В; 1А; Idm: 3,3А; 1,26Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.81 грн
10+
19.79 грн
25+
17.80 грн
67+
14.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
130В(1638752)
Ток стока
1А(1441586)
Сопротивление в открытом состоянии
0,85Ом(1459319)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,26Вт(1742064)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,6нC(1609796)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
3,3А(1888043)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN13H750S-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660195
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 130В; 1А; Idm: 3,3А; 1,26Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.81 грн
10+
19.79 грн
25+
17.80 грн
67+
14.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
130В
Ток стока
1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,85Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,26Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
3,3А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g