0 0 0
  8. DMN2005UFG-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN2005UFG-7

 
DMN2005UFG-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659416
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 14А; Idm: 130А; 2,27Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.59 грн
5+
27.75 грн
25+
24.81 грн
47+
20.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerDI3333-8(1942490)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
14А(1441298)
Сопротивление в открытом состоянии
8,7мОм(1479224)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,27Вт(1786529)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
164нC(1713018)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
130А(1758596)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN2005UFG-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659416
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 14А; Idm: 130А; 2,27Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.59 грн
5+
27.75 грн
25+
24.81 грн
47+
20.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
PowerDI3333-8
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
14А
Сопротивление в открытом состоянии
8,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,27Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
164нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
130А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g